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上传时间: 2020-04-02
详细说明：我们研究了未来电子对撞机CEPC在探查几种暗物质模型的参数空间方面的能力，这些模型包括带电荷的暗物质模型，Z'门户暗物质模型和有效的暗物质算子。 在我们的分析中，单光子的最终状态被用作检测CEPC暗物质模型的主要通道。 为了最大化信号对背景的重要性，我们研究了由暗物质模型和标准模型产生的单光子通道的能量和角度分布，以设计出一组检测器切口。 对于Z'门户暗物质，我们还分析了Z'玻色子可见衰变通道，发现该通道在某些参数空间中与单光子通道互补。 与Xenon1T相比，CEPC在暗物质模型参数空间中的作用范围也得到了提高。 我们发现，对于所考虑的暗物质模型，CEPC对某些参数空间具有空前的敏感性。 例如，对于先前的O 1-100 $$ \ mathcal {O}（1）-100 $$ GeV暗物质，CEPC可以比以前的对撞机实验将毫安的限值提高一个数量级。
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