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用于束控制的弯曲硅晶体中400 GeV / c质子的非弹性核相互作用的研究
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上传时间: 2020-03-31
详细说明：研究了400 GeV / c质子与弯曲硅晶体相互作用的非弹性核相互作用概率，特别是对于安装在CERN大型强子对撞机上用于光束准直的两种晶体。 与无定形散射相互作用相比，在平面通道中，准马赛克类型（平面（111））的概率为$$ \ sim 36 \％$$〜36％，而$$ \ sim 27 \％$$〜27 带状类型（平面（110））的％。 此外，首次估计了沿通道l110 r 110 r轴的轴向非绝对核相互作用概率，得出的数值为0.60.6 \％0.6％。 沿光束方向长2 mm的晶体，弯曲角度为55 $$ \ upmu•rad。 相对于同一晶体的平面沟道取向，该值低两倍以上，并且随着垂直角未对准而增
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