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宇宙射线中正电子过量的希格斯门衰变矢量暗物质的间接和直接特征
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上传时间: 2020-03-25
详细说明：我们调查了希格斯门户U（1）X矢量暗物质（VDM）Xμ的间接签名，从其成对an灭和衰变开始。 VDM通过Z2对称性在可归一化的水平上稳定，并通过希格斯与门的相互作用而热化。 某些不可重整化的算子还会在宇宙学时间尺度上产生很长的寿命，从而使其衰减。 如果将VDM衰减的dim-6算子抑制在1016 GeV范围内，则质量为2 TeV的VDM寿命恰好可以解释由PAMELA和AMS02合作观察到的宇宙射线中正电子过量。 衰减为μ+ μ−的VDM可以拟合数据，从而避免了对宇宙射线的各种限制。 我们以一个UV完全模型为例。 质量约为2 TeV的希格斯门户衰减VDM的这种情况可以通过XENON1T上的DM直接搜索进行测试，也可以通过测量希格斯自耦合在未来的对撞机中进行测试。
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