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文件名称: 费米GeVγ射线过量的暗希格斯通道
  所属分类: 其它
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  文件大小: 1mb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-03-25
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:Dark Higgs在暗物质模型中非常通用,其中DM通过某些自发破坏的暗规对称性得以稳定。 由银河系中心(GC)的暂定GeV尺度γ射线过量激发,我们研究了一种情形,其中一对暗物质X an灭为一对黑暗希格斯H2,随后通过与SM希格斯混合而衰减为标准模型粒子 玻色子。 除了H2的两体衰变,我们还包括黑暗希格斯的多体衰变通道。 我们发现最合适的点是大约MX≥95.0 GeV,MH2≥86.7 GeV,Δv≥4.0×10×26cm3 / s并给出p值≥0.40。 在具有暗规对称性的暗物质模型的上下文中描述了此结果的含义。 由于这样的希格斯玻色子很暗,很难在对撞机上产生,因此对宇宙γ射线的间接DM探测
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