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Influence of ion- implantation on the effective Schottky barrier height of NiGe/n-Ge contacts
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文件大小: 597kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-03-13
详细说明:离子注入对NiGe/n-Ge接触肖特基势垒高度的影响研究,李成,汤梦饶,在镍锗/n锗接触中用掺杂来调制有效肖特基势垒高度的方法仍然存在争议。本文实验证明离子损伤比界面钝化在注入硒和硅的镍锗/n锗接�
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