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粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究
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上传时间: 2020-03-04
详细说明：粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.85O3薄膜，薄膜的沉积速度达到40nm/min，比采用传统陶瓷靶�
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