文件名称:
Electronic energy loss of H$^+$ ions in silicon in \ E$leq$ 90 keV energy region
开发工具:
文件大小: 263kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-03-02
详细说明：E$leq$ 90 keV能区的质子在硅中的能损的研究，张硕，王铁山，为了测量和修正质子在keV能区的能损,本工作利用10、25、80和90 keV的质子沿随机取向注入单晶硅靶,并采用共振核反应分析了氢在硅中的分�
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