文件名称:
硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备
开发工具:
文件大小: 261kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-02-28
详细说明：硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备，孙艳平，刘艳红，首先，在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀，再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜，从�
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