文件名称:
Fabrication and characterization of Ag-implantation modificated TiO2 films followed with thermal annealing
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文件大小: 313kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-02-09
详细说明：Ag离子注入后退火对TiO2薄膜光催化性能的影响研究，肖湘衡，徐进霞，Ag离子注入TiO2退火后，Ag离子进入TiO2的晶格形成了Ag2O和TiO2的混合氧化物。Ag2O是禁带宽度比较小的半导体，其禁带宽度约为1.2 eV [130]。TiO
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