文件名称:
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响
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文件大小: 472kb
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上传时间: 2020-02-05
详细说明：源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积 (CVD) 法，以Zn4 (OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样品的结构、光学、电学
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