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模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf
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详细说明:该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动
一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大
功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。
其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只
是重点突出电路的作用而已。
15.推挽结构的实质是什么?
般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线与需要
用oC( open collector)门电路.如果输出级的有两个三极管,始终处丁一个导通、一个截止的状态,也就
是两个三级管推挽相连,这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱( Totem-pole)输出电路]
16.RC振荡器的构成和工作原理
由放大器和正反馈閃络两部分构成。反馈电路由三节RC栘相网络杓成(图3),每节移相不超过90°,对
某一频率共可移相180°,再加上单管放大电路的反相作用即可构成正反馈,产生振荡ε移相振荡器电路简
单,适丁轻便型测试设备和遥控设备使用,但输岀波形差,频率难调整,幅度也不稳定。
7.电路的谐振
如果外加交沇电源的频率和LC回路的固有频率相同吋,回路中产生的
③,,电流最大,回路L中的磁场能和C中的电场能恰好自成系统,在电路内
部进行交换,最大限度的从电源吸取能量,而不会有能量返回电源,这
就叫谐振。
18.描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?
Latch-唧p门锁效应,又称寄生PNPN效应或可控硅整流器(SCR, Silicon
图3移相振荡电路
Controlled rectifier)效应。在整体硅的CMOS管下,不同极性搀杂的区
域间都会构成P-N结,而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的
下面会构成多个三极管,这些三极管自身就可能构成·个电路。这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电
路偶尔中岀现了能够使三极管开通的条件,这个寄生的电路就公极人的景响正常电路的运作,会使原本的
MS电路承受比正常工作大得多的电流,可能使电路迅速的烧毁。 Latch-唧p状态下器件在电源与地之间形
成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
19.选择电阻时要考虑什么?
考虑电阻的阻值(最大,最小)熔点是否方便安装
20.电路的谐振
如果外加交流电源的频率和LC回路的固有频率相同时,回路中产生的电流最大,回路L中的磁场能和C
中的电场能恰好自成系统,在电路內部进行交换,最大限度的从电源吸取能量,而不会有能量返回电源,
这就叫谐振。
19.旁路电容
可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分泄露掉的电容,称做“旁路电容”
20.戴维南定理:一个含独讠源、线性电阻和受控源的二端电路,对其两个端子来说都可等效为一个理
想电压源串联内阻的模型。其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压,串联的内
阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻
21.无源器件:在模拟和数字电路中加以信号,不会改变自已本身的基本特性.如电阻
有源器件:在模拟和数字电路中加以信号,可以改变自已本身的基本特性.如三极管.
22.旁路电容
可将混有晑频电流和低频电流的交流电中的髙频成分泄露抻的电谷,称倣“旁路电容”。
23.场效应和晶体管比较:
a.在环境条件变化大的场合,采用场效应管比较合适。
b.场效应管常用来做前置放大器,以提高仪器设备的输入阻抗,降低噪声等。
C.场效应管放大能力比晶体管低
d.工艺简单,占用芯片面积小,适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。
24.基本放大电路的组成原则:
a.发射结正偏,集电结反偏
b.输入回路的接法应该使输入信号尽量不损失地加载到放大器的输入端
C.输岀回路的接法应该使输出信号尽可能地传送到负载上。
25实现放大的条件
晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。
正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区
输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电柲电压,经电容滤波只输岀交流信号。
26.共射,共基和共集放大电路图
27.静态:放大电路不加输入信号,电路中各处的电压、电流都是固定不变的直流量,这时电路处于直流工
作状态,简称静态。
直流通路:电谷开路,电感短路,信号源短路,保留其内阻
交流通路:电容短路,电感开路
28.功放要求
a.输岀功率尽可能大。b.高效率c.非线形失真小d.晶体管的散热和保护
9.甲类功放,乙类互补对称功放和甲乙类互补对称功放特点和电路图。
+
C
T
-K2/R
T2气
IRL
R
E2
C
图532利用二极管进行偏置的
互补对称电路
30.频率补偿
所谓频率补偿,就是指提高或降低某一特定频率的信号的强度,用来弥补信号处理过程中产生的该频率的
减弱或增强。常用的有负反馈补偿、发射极电容补偿、电感补偿等。
31.虚短:集成运放的两个输入端之间的电压通常接近于零,若把它理想化,则看做零,但不是短路,故称
“虚短”
虑断:集成运放的两个输入端几乎不取用电流,如果把他理想化,则看作电流为零,但不是断开,故称“虚
断
32.基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用
差分结构的原因。
放大电路的作用:放大电路是电了技术中广泛使用的电路之一,其作用是将微弱的输入信号(电压、电流、
功率)不失真地放人到负载所需要的数值。
放大电路种类:(1)电压放大器:输入信号很小,要求获得不失真的较大的输出压,也称小信号放大器;
2)功率放大器:输入信号较大,要求放大器输出足够的功率,也称大信号放大器。
差分电路是具有这样一种功能的电路。该电路的输入端是两个信号的输入,这两个信号的差值,为电路有
效输入信号,电路的输出是对这两个输入信号之差的放大。设想这样一种情景,如果存在干扰信号,会对
两个输入信号产生相冋的干扰,通过二者之差,干扰信号的有效输入为零,这就达到∫抗共模干扰的目的
33.锁相环有哪几部分组成?
锁相,顾名思义,就是将相位锁住,把频夲锁定在一ˆ固定值上。锁相环,就是将相位锁定的回路。锁相
环由相位检测器P+分频器十回路滤波器+压控振荡器VCO,等组成。
锁相环的工作原理
1、压控振荡器的输出经过采集并分频:
2、和基准信号同时输入鉴相器;
3、鉴相器通过比较上述两个信号的频率差,然后输出一个直流脉沖电压
4、控制VCO,使它的频率改变;
5、这样经过一个很短的时间,vO的输出就会稳定于某一期望值。
锁相环是一种相位负反馈系统,它利用环路的窄带跟踪与冋步特性将鉴相器一端VO的输岀相位与另一端
晶振参考的相位保持同步,实现锁定输出频率的功能,同时可以得到和参考源相同的频羍稳定度。一个典
型的频率合成器原理框图如图所示。
6
品琳?=R分频时鉴相
LPF
控制数
e
数据寄存N分频
图1锁相环频率合成器的原理框图
设晶振的输出频率为fr,VCO输出频率为fo,则它们满足公式:
f
34什么是零点漂移?怎样抑制零点漂移?
零点漂移,就是指放大电路的输入端短路时,输出端还有缓慢变化的电压产生,即输岀电压偏离原来的起
始点而上下漂动。抑制零点漂栘的方法一般有:采用恒温措施;补偿法(采用热敏元件来抵消放大管的变
化或采用特性相同的放大管构成差分放大电路):采用直流负反馈稳定静态工作点;饣各级之间采用阻容耦
合或者采用特殊设计的调制解调式直流放大器等
35.给出一个差分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图
般对于两级或者多级的运放才需要补偿。一般采用密勒补偿。例如两级的全差分运放和两级的双端输入
单端输岀的运放,都可以采用密勒补偿,在第二级(输出级)进行补偿。区别在于:对于仝差分运放,两
个输出级都要进行补偿,而对于单端输出的两级运放,只要一个密勒补偿。
36.频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频率响应曲线的几个方法
频率响应通常亦称频率特性,频率响应或频率特性是衡量放人电路对不同频率输入信号迂应能丿的一项技
术指标。实质上,频率响应就是指放大器的增益与频率的关系。通常讲一个好的放大器,不但要有足够的
放大倍数,而且要有良好的保真性能,即:放大器的非线性失真要小,放大器的频率响应要好。“好”
指放大器对不同频率的信号要有同等的放大。之所以放大器具有频率响应问题,原因有二:一是实际放大
的信号频率不是单一的;;二是放大器具有电抗元件和电抗因素。由于放大电路中存在电抗元件(如管了
的极间电容,电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等),使得放人器可能对不同频率信
号分量的放大倍数和相移不同。如放大电路对不同频率信号的幅值放大不同,就会引起幅度失真;如
放大电路对不同频率信号产生的相移不冋就会引起相位失真。幅度失真和相位失真总称为频率失真,由于
此失真是由电路的线性电抗元件(电阻、电容、电感等)引起的,故不称为线性失真。为实现信号不失真
放大所以要需研究放大器的频率响应
7.画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路
38.SRMM:静态RAM;DRAM:动态RAM; SSRAM: Synchronous static random Access memory同步静态随机
访问存储器。它的一种类型的SRAM。SSRM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其
它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出
都由地址的交化控制。 SDRAM: Synchronous DRAM同步动态随机存储器
n名词IRQ,BIOS,USB,VDL,SDR
SDR: Single data Rate
IRQ: Interrupt reQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal serial bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
9.压控振荡器的英文缩写(C0
名词解释,比如PCI、FCC、DR、 interrupt、 pipeline ira,BIOS,USB,ⅥHmL,ⅥSIVC0(压控振荡器)RAM(动
态随札存储器), FIR LIR DFT(离散傅立叶变换)或者是中文的,比如:a.量化误差b.直方图c.白平衡
40.LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路,分别画出其原理图
电感二点式振荡器和电谷三点式振荡器。
)电感三点式
41.什么是三态与非门TSL)?
答:三态与非门有三种状态:(1)门导通,输出低电平。(2)门截止,输出高电平。(3)禁止状态或称高阻状态、
悬浮状态,此为第三态
三态门的一个重要用途,就是可冋同一条导线(或称总线Y)上轮流传送几组不同的数据或控制信号,如图
2-17所示。当E1、E2、E3轮流接低电平时,A、B、A2、B2、A3、B3三组数据轮流按与非关系传送到
总线Y上;而当各门控制端E1、E2、E3为高电平时,门为禁止状态,相当于与总线Y断开,数据A、B
不被传送
42.场效应管是电流、还是电压控制器件?
电压控制器件
43.晶体管工作在放大区,发射结、集电结怎么偏置的
发射结集电结
放大区正偏
反偏
饱和区正偏
正偏
截至区反偏
反偏
44.差分放大电路的功能:放大两个输入信号之差
45.在CM0S电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管还是N管,为
什么?
46.什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)
OTP means one time program,一次性编程
MTP means multi time program,多次性编程
OTP( One time program)是MCU的一种存储器类型
MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、TP(一次性可编稈)ROM、 FLASHROM等类型。
MASKROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经圄化,适合程序固定不变的应用场合
FALSHROM的MU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用
途
OTP RO的MC价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成
本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电了产品
47.什么是集电极开路与非门(Oc门)?
答:OC门和普通的TTL与非门所不同的是,它用一个外接电阻RL来代替由VT3、VT4组成的有源负载,
实现与非门逻辑功能,OC门逻辑功能灵活,应用广泛。
48.什么是TTL集成电路?
答:TTL集成电路是一种单片集成电路。在这种集成电路中,一个逻辑电路的所有元器件和连线都制作在
同一块半导体基片上。由于这种数字集成电路的输人端和输出端的电路结构形式采用了晶体管,所以一般
称为晶体管晶体管( Transistor-transiS-tor Logic)逻辑电路,简称TTL电路。
49.射极跟随器
射极跟随器〔又称射极输岀器,简称射随器或跟随器)是一种共集接法的电路,辶从基极输入信号,从射
极输出信号。它具有高输入阻抗、低输出阻抗、输入信号与输出信号相位相冋的特点
50.戴维南定理:一个含独立源、线性电阻和受控源的端电路,对其两个端子来说都可等效为一个理想
电压源串联内阻的模型。其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端了的开路电压,串联的内阻为内
部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻。
51窄沟道效应:由于边缘场的影响,沟道区耗尽层在沟道宽度两侧向场区有一定的扩张。当沟道宽度较大
时,耗尽层向两侧的扩展部分可以忽略:但是汋道变窄时,边缘场造成的耗尽层扩展变得不可忽略,这样,
耗尽层电荷量比原来计算的要大,这就产生了窄沟道效应
52MoS电路的特点:
优点1.工艺简单,集成度髙。2.是电压控制元件,静态功耗小。3.允许电源电压范围宽(3~18V)。1.
扇出系数大,抗噪声容限大
缺点:工作速度比TIL低。
53.给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的rise/fa1l
时间。
54.电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C上电压和R上电压,要求制
这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤波器。当RCT+T2max, T3hold>TImin+T2min
18.给出某个一般时序电路的图,有 Setup, Tdelay,Tck->q,还有 clock的 delay,写出决定最大时钟的因
素,同时给出表达式。(威盛VIA2003.11.06上海笔试试题)
19.说说静态、动态时序模拟的优缺点。(威盛ⅥA2003.11.06上海笔试试题)
T+TclkdealyTsetup+tco+Tdelay
Thold>Tclkdelay+TcotTdelay
20.一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善 timing(威盛ⅥA2003.11.06上海笔试试题)
21.静态和动态时序
静态时序分析是采用穷尽分析方法来提取岀整个电略存在的所有时序路径,计算信号在这些路径上的传播
延时,检査信号的建立和保持时冋是否满足时序要求,通过对最大路径延时和最小路径延时的分析,找出
违背时序约束的错误。它不需要输入向量就能穷尽所有的路径,且运行速度很快、占用内存较少,不仅可
以对芯片设计进行全面的时序功能检査,而且还可利用时序分析的结果米优化设计,因此静态时序分析已
经越来越多地被用到数字集成电路设计的验证中。
动态时序模拟就是通常的仿真,因为不可能产生完备的测试向量,覆盖门级网表中的每一条路径。因此在
动态时序分析中,无法暴露一些路径上可能存在的吋序问题
22.给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,使得输出依赖于关
键路径。(未知)
23.触发器有几种(区别,优点),全加器等。
24.什么是正负逻辑?
在数字电路中,一般用高电平代表1、低电平代表0,即所谓的正逻辑系统。反之,用高电平代表0、低电
平代表1,即所谓的负逻辑系统
25.化简F(A,B,C,D)=m(1,3,45,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)
26.为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子)
和载流子有关,P管是空穴导电,N管电子导电,电子的迁移率大丁空穴,同样的电场卜,N管的电流大于
P管,因此要増人P管的宽长比,使之对称,这样才能使得两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容
限一样、充电放电的时间相等
28.时钟周期为T触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min。组合逻辑电路最大延迟为T2max,
最小为T2min。问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。(华为)
29画出CMos的图,画出 tow-to- one mux gated(威盛VIA2003.11.06上海笔试试题)
30.怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路?
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