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文件名称: 开关电源测流电阻应放置的6个位置.pdf
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2019-09-14
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:开关电源测流电阻应放置的6个位置pdf,电流模式控制由于其高可靠性、环路补偿设计简单、负载分配功能简单可靠的特点,被广泛用于开关模式电源。电流检测信号是电流模式开关模式电源设计的重要组成部分,它用于调节输出并提供过流保护。图1显示了 ADI LTC3855同步开关模式降压电源的电流检测电路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的电流模式控制器件。检测电阻RS监测电流。在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿 具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较长的电流比较器消隐 时间(比较器忽略输入的时间)。这会限制最小开关导通时间,并且可能限制最 小占空比(占空比=∨OUT∧N)和最大转换器降压比。注意在高端配置中,电 流信号可能位于非常大的共模屯压(VIN)之上。 放置在降压调节器低端 图4中,检测电阻位于底部M○SFET下方。在这种配置中,它检测谷值模式电 流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本,底部 FET RDS(ON)可用来检测 电流,而不必使用外部电流检测电阻 RSENSE。 sW中 YY QLT BG OUT RL -E 图4.带低端 RSENSE的降压转换器 这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声π能也很敏感,但在这种情况 下,它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比,但由 于其开关导通时间是固定/受控的,故最大占空比有限。 降压调节器与电感串联 图5中,电流检测电阻 RSENSE与电感串联,因此可以检测连续电感电流,此 电流可用于监测平均电流以及峰值或谷值电流。所以,此配詈支持峰值、谷值或 平均电流模式控制。 TG R SENSE sW命 BUT BG T tR 图5. RSENSE与电感串联 这种检测方法可提供最佳的信噪比性能。外部 RSENSE通常可提供非常准确的 电流检测信号,以实现精确的限流和均流。但是, RSENSE也会引起额外的功 率损耗和元件成本。为了减少功率损耗和成本,可以利用电感线圈直流电阻(DCR) 检测电流,而不使用外部 RSENSE。 放置在升压和反相调节器的高端 对于升压调节器,检测电阻可以与电感串联,以提供高端检沨。(图6 ENSE RL Duty 图6.带高端 RSENSE的升压转换器 升压转换器具有连续输入电流,因此会产生三角波形并持续监测电流。 放置在升压和反相调节器的低端 检测电阻也可以放在底部 MOSFET的低端,如图7所示。此处监测峰值开关电 流(也是峰值电感电流),每半个周期产生一个电流波形。 MOSFET开关切换 导致电流信号具有很强的开关噪声 ouT RL RseNSE 图7.带低端 RSENSE的升压转换器 SENSE电阻放置在升降压转换器低端或与电感串联 图8显示了一个4开关升降压转换器,其检测电阻位于低端。当输入电压远高 于输出电压时,转换器工作在降压模式;当输入电压远低于输出电压时,转换器 工作在升压模式。在此电路中,检测电阻位于4开关H桥配置的底部。器件的 模式(降压模式或升压模式)决定了监测的电流。 UT TG1 A TG2 SW1 sw2 BG1 B BG2 图8.带低端 RSENSE的升压转换器 在降压模式下(开关D一直导通,开关C一直关断),检测电阻监测底部开关 B电沇,电源用作谷值电沇模式降压转换器。 在升压模式下(开关A一直导通,开关B一直关断),检测电阻与底部 MOSFET (C)串联,并在电感电流上升时测量峰值电流。在这种模式下,由于不监测谷值 电感电流,因此当电源处于轻负载状岙时,很难检测负电感电流。负电感电流意 味着电能从输岀端传回输入端,但由于这种传输会有损耗,故效率会受损。对于 电池供电系统等应用,轻负载效率很重要,这种电流检测方法不合需要。 图9电路解决了这个问题,其将检测电阻与电感串联,从而在降压和升压模式下 均能连续测量电感电流信号。由于屯流检测 RSENSE连接到具有高开关噪卢的 sW1节点,因此需要精心改计控制器C,使内部电流比较器有足够长的消際时 OUT TG1- TG2 SENSE sw1中 Sw2 BG1 图9.LT8390升降压转换器, RSENSE与电感串联 输入端也可以添加额外的检测电阻,以实现输入限流;或者添加在输出端,用于 电池充电或驱动LED等恒定输岀电流应用。这种情况下需要平均输入或输岀电 流信号,因此可在电流检测路径中増加一个强RC滤波器,以减少电流检测噪声 电流检测方法使用说明书 开关模式电源有三种常用电流检测方法是:使用检测电阻,使用 MOSFET RDS(ON),以及使用电感的直流电阻DcR)。每种方法都有优点和缺点,选择 检测方法时应予以考虑 检测电阻电流传感 作为电流检测元件的检测电阻,产生的检测误差最低(通常在1%和5%之间) 温度系数也非常低,约为100ppmc(0.01%)。在性能方面,它提供精度最高 的电源,有助于实现极为精确的电源限流功能,并且在多个电源并联时,还有利 于实现精密均流 c 5y to 24 y TG RUN/SS BOOST sW RSENSE\1.6V SGND 0.005)9A 口 SENSE INTV SENSE B 1000PF SENSE+PGND 图10. RSENSE电流检测 另一方面,因为电源设计中增加了电流检测电阻,所以电阻也会产生额外的功耗。 因此,与其他检测技术相比,检测电阻电流监测技术可能有更高的功耗,导致解 决方案整体效率有所下降。专用电流检测电阻也可能增加解决方案成本,虽然 个检测电阻的成本通常在0.05美元至0.20美元之间。 选择检测电阻时不应忽略的力一个参数是其寄生电感(也称为有效串联电感或 ESL)。检测电阻可以用一个电阻与一个有限电感串联来正确模拟。 Sense resistor Plus Parasitic Inductance LI R. ESL VesL=Vi*L+ ESL ESL 图12. RSENSE ESL模型 此电感取决于所选的特定检测电阻。某些类型的电流检测电阻,例如金属板电阻 具有较低的ESL,应优先使用。相比之下,绕线检测电阻由于其封装结构而具 有较高的ESL,应避免使用。一般来说,ESL效应会随着电流的增加、检测信 号幅度的减小以及布局不合理而变得更加明显。电路的总电感还包括由元件引线 和其他电路元件引起的寄生屯感。电路的总电感也受到布局的影响,因此必须妥 善考虑元件的布局,不恰当的布局可能影响稳定性并加剧现有电路设计问趣。 检测电阻ESL的影响可能很轻微,也可能很严重。ESL会导致开关栅极驱动器 发生明显振荡,从而对开关导通产生不利影响。它还会增加电流检测信号的纹波, 导致波形中出现屯压阶跃,而不是预期的如图13所示的锯齿波形。这会降低电 流检测精度 50m圆220Mr500ns/ div Stop,國420v (5 mV/div (22 A/div) RSENSE: 2 mQ/2512 Size △X=0.0s 1/△x=Hz △Y3=1125mV Mode‖ Source Normal 425mV1550mvY2 图13. RSENSE ESL可能会对电流检测产生不利影响 为使电阻ESL最小,应避免使用具有长环路(如绕线电阻)或长引线如厚电 阻)的检测电阻。薄型表面贴装器件是首选,例子包括板结构SMD尺寸0805、 1206、2010和2512,更好的选择包括倒儿何SMD史寸0612和1225。 基于功率 MOSFET的电流检测 利用 MOSFET RDS(ON进行电流检测,可以实现简单且经济高效的电流检测。 LTC3878是一款采用这种方法的器件。它使用恒定导通时间谷值模式电流检测 架构。顶部开关导通固定的时间,此后底部开关导通,其RDS压降用于检测电 流谷值或电流下限。 IRUNSS V 45y to 28 V SGND BOOST 12v LTC3878 15A BG PGND 图14. MOSFET RDS(ON)电流检测 虽然价格低廉,但这种方法有一些缺点。首先,其精度不高,RDS(ON)值可能 在很大的范围内变化(大约33%或更多)。其温度系数可能也非常大,在100°C 以上时甚至会超过80%。另外,如果使用外部 MOSFET,则必须考虑 MOSFET 寄生封装电感。这种类型的检测不建议用于电流非常高的情况,特别是不适合多 相电路,此类电路需要良好的相位均流 电感DcR电流检测 电感直流电阻电流检测采用电感绕组的寄生电阻来测量电流,从而无需检测电 阻。这样可降低元件成本,提高电源效率。与 MOSFET RDS(ON)相比,铜线绕 组的电感DCR的器件间偏差通常较小,不过仍然会随温度而变化。它在低输出 电压应用中受到青睐,因为检测电阻上的任何压降都代表输出电压的一个相当大 部分。将一个RC网络与电感和寄生电阻的串联组合并联,检测电压在电容C1 上测量(图15)。 RUN/SS TG Mi BOOST LTC3654 R SW Inductor R INTVcc DCR FEI FB PUI LF SENSE B R1 OUT SENSE+ GND 图15.电感DCR电流检测 通过选择适当的元件(R1×C1=LDCR),电容C1两端的电压将与电感电流成 正比。为了最大限度地减少测量误差和噪声,最好选择较低的R1值 电路不直接测量电感电流,因此无法检测电感饱和。推荐使用软饱和的电感,如 粉芯电感。与同等铁芯电感相比,此类电感的磁芯损耗通常较高。与 RSENSE 方法相比,电感DCR检测不存在检测电阻的功率损耗,但可能会增加屯感的磁 芯损耗。 使用 RSENSE和DCR两种检测方法时,由于检测信号较小,故均需要开尔文 检测。必须让开尔文检测痕迹(图5中的 SENSE+和 SENSE-)远离高噪声覆 铜区和其他信号痕迹,以将噪声提取降至最低,这点很重要。某些器件(如 LTC3855)具有温度补偿DCR检测功能,可提高整个温度范围内的精度。 表1.电流检测方法的优缺点 检测方法 检测吴差温度变化检测电感您和可靠性保护电流和热平衡元件成本 电源效率 25°C(%) 1或5 001 最高 最佳 (05至020美元) 准值 电感DCR 03 中 不适用 轻高 MOSFET R (OIN 较低 最盖 不适用 较高 表1中提到的每种方法都为开关模式电源提供额外的保扩。取决于设计要求,精 度、效率、热应力、保护和瞬态性能方面的权衡都可能影响选择过程。电源设计 人员需要审慎选择电流检测方法和功率电感,并正确设计电流检测网络。AD丨 公司的 LTpowerCAD设计工具和 LTspice电路仿真工具等计算机软件程序,对 简化设计工作并获得最佳结果会大有帮助。 其他电流检测方法 还有其他电流检测方法可供使用。例如,电流检测互感器常常号隔离电源一起使 用,以跨越隔离栅对电流信号信息提供保护。这种方法通常比上述三种技术更昂 贵。此外,近年来集成栅极驱动器( DrMOS)和电沇检测的新型功率 MOSFET也 已出现,但到目前为上,还没有足够的数据来推断DMOS在检测信号的精度和 质量方面表现如何。
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