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一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现.pdf
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上传时间: 2019-09-14
详细说明：一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现pdf,一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现sh
In
Meeo维库
图3加入吸收回路的DCM关键波形
关键字:反激变换器RCD吸收回路 MOSFET
式中:isn是流进吸回路的电流;Vsn是吸收回路电容上的电压;n是卡变压器币
数;LIK1是主变压器的漏感。因此,时时TS可以从下式求出:
IKI
t,=V1- nv queen算
中: Ipeak是一次电流的峰值。
吸收回路电容电压,Vsn在最低输人电压及满载条件下决定。一且Vsn定了,则
吸收回路的功耗在最低输人电压及满载条件下为:
IN=V
P
2f/2 k
sn
n
s
Weedon雏库
式中:fs是开关频率;Vsn为2~2.5倍的nvo,从公式中看出非常小的Vsn使
吸收回路损耗也减小
另一方面,由于吸收回路电Rsn的功耗为,我们可以求得电阻:
R、
snl
LIkIN
f
维库
然后吸收回路的电阻选用合适的功率来消耗此能量,电容上的最太纹波电压用下
式求出
△V
sn
an
B
通常5%一10%的纹波是可以允许的,困此,吸收回路的电容也可用上式求出。
nV+√nV)2+2RnL()2
2
当变换器设计在CCM工作模式下时,峰值漏电流与吸收回路电容电压一起随输入
电压增加而减少。吸收回路电容电压在最高输入电压和满戴时可由下式求出:
式中:fs为开关频率;LIK1为一次漏感;n为变压器数比;Rsn为吸收回路电
陧; Ipeak2为一次在最高输入电压和满载时的峰值电流。当变换器工作在CCM状态,又是
最高输入电压及满载条件 Ipeak表示如下
jmx
x n
N
DImEX
Vn×nV
LmA(UgmS +nvo)
当变换器在最高输入电压及满载条件下工作在DCM时,J。为
fL
WeeDon维库
式中:PIN为输入功率;Im变压器劢磁电感。 VEMax为整流的最高输人电压值
Vde
如果在瞬间过渡时及稳态时vds的最高值低于 MOSFET的 BVdss电压的90%和
8o%,则呶收凹路二极管的耐压要高于 BOss,可以选用一个超快恢复二极管为IA电流,
酎压120%BVds
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