文件名称:
逆变器用 IGBT 吸收电路的 Matlab 仿真研究.pdf
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上传时间: 2019-09-14
详细说明:逆变器用 IGBT 吸收电路的 Matlab 仿真研究pdf,IGBT 的开关速度很高,关断时一般会产生过电压,实际电路中通常都会在 IGBT 旁加吸收电路(缓冲电路)。针对其中五种吸收电路的特点、适用范围进行了描述和比较,并利用 Matlab 软件对 IGBT(两种第五代 IGBT 模块)的吸收电路进行了仿真,并给出了试验波形和优化的吸收电路参数选择。2009
6
IGBT
Matlab
29
几L
IGBT
IGBTI
△山FWD1
800V
RCD
RCD
IGBT
1200
1000
△ AUFWD2
IGBT
600
400
2.032.042052.062.072.082.092
900
Time offset: 0
10
00
00
140
100
300
200
3.99844.0024.0044.0064.0084014.012
Time offset O
10
2.05
2.15
b
150
9 IGBT
RCD
RC
RC
8IGBT
Lc
4
0.47μF0.47μF1.0pF
l009250092|50092
8OV|800v800V
047μF0.1pF0.47pF
116A
115A
159|25g
50g
800V800V860V
145A120A115A
3.2CM300DY-24A
CⅥ30ODY-24A
0
IGBT
o1994-2010ChinaAcademicJournalElectronicPublishinyHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net
30·
2009
900V
IGBT
IGBT
RC RCD
40pF60μF8.0pF
C
955V
833V
RCD A RCd B
1000
345V318A312A
900
800
7
600
500
400
200
1.241.2451.251.2551.261.2651.271.275
RCD
RCD
400
RCD
350
300
IGBT
250
R
200
RCD
IGBT
100
12
IGBT
10 IGBT
IGBT
1000
900
800
700
600
900
800
400
700
300
600
200
500
455.055.05550650655.075.0755.085.08
300
200
100
1.521.541.56
Time offset o
10
700
600
500
300
400
200
200
0
2 IGBT
b
11 IGBT
12
RCD
o1994-2010ChinaAcademicJournalElectronicPublishinyHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net
2009
6
IGBT
Matlab
31
a IGBt
RCD
B
13
RCD
B IGBT
ICBT
B
2OμF3F4.0F
109
10
500
845V836V850V
IGBT
IGBT
A
IGBT
B
IGBT
4
RCD
B
IGBT
900
300
00
0
5.045.0455.055.0555065.065507
fset o
2000.
350
300
1965-
1987
150
50
b
1977
13 IGBT
7
1975-
2
2.0pF3.μF40μF
300
309
820V
82lV835V
2009-06-10
o1994-2010ChinaAcademicJournalElectronicPublishinyHouse.Allrightsreservedhttp://www.cnki.net
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