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详细说明：R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfpdf,R8103非隔离降压型LED驱动IC.pdfSiRise 功能框图稳压源输出系统控制器驱动前沿消隐图功能框图典型应用图 DI-ED x火火 H]3 R810 ENP 数据手册矽瑞微电子有限公司版权所有 SiRise 应用信息 R8103是非隔离降压型恒流驱动器,内部集成高压600 V MOSFET,采用DIP8封装,LED电流可以输出高达350mA:R8103采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒沇驱动LED 启动 R8103启动电流很低,典型值为100,如果设计系统交流85W启动时,启动电阻为52x106=801K 芯片供电 R8103需要用辅助线圈供电,设计辅助线圈(N)和主线圈匝数(N)比时,应遵循以下规则: 个-o,假设输出LED压降为90V时,那么№-yous10 N 采样电阻 R8103是一款专用于非隔离降压型控制器,系统工作在谷底开关模式只需要很少的外围器件即可实现高精度的忸流输岀。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流,CS端连接芯片内部,并与内部 200mV的电压进行比较,当CS达到内部阈值时,系统公关掉内部功率管。电感峰值电流的计算公式:Is=20(mA),Rcs为电流检测电阻阻值 LED电流输出公式:ID 电感主线圈设计是采用谷底开关模式,系统上电后内部功率管导通,电感电流逐渐上升,当电感电流上升到时,内部功率管关断。内部功率管的导通时间如下 Lpxlpk 其中,为主线圈的电感量,是输入交流整流后的直流电压,是输出的正向压降当内部功率管关断后,电感上电流从峰值廾始逐渐卜降,当电感上电流卜降到时,内部功率管廾启。功率管的关断时间如下: LED 电感的计算公式如下: (VIN-VLEDXVLED EXVINXIPK 其中为系统的工作频率,当定时,工作频率随的升高而升高。所以设计系统工作频率,在最小时,不能让系统进入音频范围内一般不要低于在最高时又不能使系统的工作频率太高,不要高于(频率太高,功率管功耗太大数据手册矽瑞微电子有限公司版权所有 4 SiRise 电压检测端的电压决定了系统的工作状态当端电压大于典型值会自动判断为输出过压保护系统会进入极为省电的打嗝模式输出过压保护电压如下 R8+R9 请参考典型应用图其中不要高于上述公式中常数在设计系统时请选用请参考电气参数中假设从上述公式可以算出这里我们可以取电阻尽量选大的标称值典型应用图中一般选择为耐压为电容在进入打嗝模式后自动检测输出电压当输出电压低于时系统会重新进入正常工作状态。输出开短路保护内部集成了输出开短路保护旦检测到输出开短路系统会自动进入打嗝模式直到开短路保护条件除去过热保护内部集成了过热保护功能触发过热保护温度为典型℃当被触发过热保护后芯片只有降到℃之后才能重新正常工作。输入滤波电容输入滤波电容应确保整流电压值始终髙于LED串电压,一个简单判断该电容太小的办法是,当输入电压逐渐低,恒流效果变差,此时应变大该电容。功率因素校正当系统有功率因素要求时,可采用一个简单的无源功率因素校正电路(填谷式),该电路包含3 二极管2个电容可将系统功率因素提高到0.85以上板设计 ●电容尽可能靠近芯片端 ●心片地线和功率地线要分开布局辅助线圈的地线,的地线尽量要分开布局 ●电感主线圈的充电回路和放电回路面积都要尽可能的小数据手册矽瑞微电子有限公司版权所有 SiRise 封装尺寸 DIP8封装外形图及尺寸(R8103AF) A1 「1「11「「尺寸最小(mm)最大(mm) 尺寸最小mm)最大(mm) 930 9.50 050 1524 C3 33 C39 「0.53 C4 1.57TYP A3 820 880 A4 0,66TYP D1 0,20 035 D,99TYP D2 7.∈2 7.87 B 53 65 8°TYP C7.20 92 8°TYP 3.3C 3.50 3 5°TYP 数据手册矽瑞微电子有限公司版权所有 SiRise 重要声明矽瑞微电子有限公司保留不发布通知而对该产品和服务随时走行更改,补充,改进和其它变动的权利用户敬请在购买产品之前获取最新的相关信息并核实该信息是最佳的和完整的。所有产品在订单确认后将遵从矽墙微电了有限公司的销售条例进行销售。本资料內容未经矽瑞微电子有限公司许可,严棼以其它日的加以转载或复制等。对于未经销售部门咨询使用本产品而发生的损失,矽瑞微电子有限公司不承担其责任关于产品销售及服务网点深圳市华帖电子有限公司地址:深圳市福田区振华路高科修电子交易中心六楼电话:887552852724/13510774597 食:8675561204076 Q:838208864 Bail iclideaact, c 数据手册矽瑞微电子有限公司版权所有

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