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进口芯片替代芯片汇总-MS1022 datasheet.pdf
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详细说明:进口芯片替代芯片汇总-MS1022 datasheet.pdf3瑞盟科技
Ms1022
极限参数
参数
符
参数范围
内核供电电压
0.3~4
I0供电电压
0.3~-4
输入管脚电压
VVv
0.5~Vcc+0.5
存储温度
-55~150
最大结温
T
ESD评估
HBM
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Ms1022
电气参数
推荐使用的工作条件
数
符号测试条件最小值典型值最大值单位
内核供电电压*
V
IO供电电压
般输入上升沿时间
200
ns
一般输入下降沿时间
fa
200
ns
施密特触发器上升沿时间
ms
應密特触发器下降沿时间
ms
环境温度
T不能超过125°c-0
125
温敏电阻
28
K/W
*包括晶振管郾XIN,XOUT,Clk32In,Clk320ut
直流电特性(Vio=Vcc=3.0V,Tj=-40到+85°C)
参
数
符号测试条件最小值典型值最大值单位
32kHz品振电流
Ic+In仅32kHz晶振工作
H A
V=V:=3.6V
200
u A
4hz晶振电流
Va=V1=3.0V
130
H A
关闭时
时间测量单元电流
仅当时间测量廾启
静态电流
所有时钟关闭,85℃
0.1
操作电流
TOF-UP/DOWN, 1/s
H1 A
常温,PT1000,1/30s
0.15
温度测量电流
每30秒一次
0.085
H A
模拟部分电流
廾启模拟部分
0.8
总电流
total
每秒2次时间测量
2.3
每30秒一次温度测量
输出高电压
Io=thd mA V:=Min.0.8V
V
输出低电压
I。= tbd mA,Vi。=Min
输入高电压
VVVVV
LVTL,V。=Max
0.7V
输入低电压
LⅥTTL,V。-Min.
0.3VV
施密特触发高电平电压
0.7V
迤密特触发低电平电压
0.3V
V
施密特触发器阈值
0.28
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终端等效电容
数
符
测试。条件最小值典型值最大值」单位
数字输入
在Vcc=V
数字输出
Cf=1M,T=25°C时
双向
C
PT端口
t. b d
模拟输入
t. b. d
模拟电路前端
数
测试条件最小值典型值最大值单位
比较器输入电压漂移
(斩波稳定)
STOP1/STOP2输入的模拟
R
200
开关开启时的阻抗
FIRE UP, FIRE DOWN输出
对称输出,
R
Rason(high)=raso (low)
Oh
缓存开启时的开启阻抗
FIRE UP, FIRE DOWN输出
缓存的输出电流
FIRE
EEPROM
参
数
符号测试条件最小值典型值最大值单位
通常操作
年
数据保留时间85°C
般无
带有错误纠正
限制
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转换器参数
时间测量单元(V1=V=3.0V,T=25℃)
数
符号测试条件最小值典型值最大值单位
测量范围1
DOUBLE RES =0
测量分辨率
DOUBLE RES =1
S
测量模式2:
QUAD RES=1
标准偏差
测量范围182
DOUBLE RES =0
DOUBLE RES =1
测量模式2:
t b. d
QUAD RES- 1
测量范围
测星范围1
5I
2.4μs
t
测量范围2(4M高速时钟)500ns
4ms
积分非线性度
0.1
LSB
差分非线性度
DNL
0.1
LSB
温度测量单元
数
付
测试条件
单位
内部施密特触发器外部施密特触发器
PT500
PT1000
PT500
PT1000
分辨率RM
16.0
16.0
Bit
105
96
dB
绝对增益3
0.9912
0.9931
0.9960
0.9979
3.6V
0.9923
0.9940
0.9960.990
绝对增益vs.V。33.0V
0.9931
0.9960
0.9979
2.5V
0.9895
0.9915
0.9956
0.9979
增益漂移ⅴs.Va
0.25
0.23
0.06
0.04
%/V
最大增益误差d⊙=100K
0.05
0.05%
0.02
<0.01%
增益漂移vs.温度
0.022
0.017
0.012
0.0082%/10K
増益漂移ⅴs.V
0.08
%/V
初始岺点漂移
20
10
<20
10
零点漂移vs.温度
<0.05
<0.03
<0.012
<0.082mK/℃
PSRR
>100
dB
1.所有测量全部在V=V。=3.0V获得,Co=100mF用于PT1000,而200nF用」PT500
(C0G类型)。
2.应用外部74AC14施密特触发器。
3.与一个理想的増益为1情况相比较。
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时序
如果没有特别说明,以下特性参数均是在=3.3V±0.3V,坯境温度为-40°C~+85“C的条件
下测量得到的
时钟振荡器
数
符
最小值
典型值
最人值
单位
32kHz参考晶振时钟Clk2
32.768
H乙
32kHz晶振
在上电后起振时问
高速品晶振参考时钟
Clk
MHZ
陶瓷晶振起振时间
OSZSt
100
以S
石英晶振起振时间
t
SZSe
串行接口
最人值
参
数
符号
单位
V。-2.5V
V1-3.3V
串行时钟频率
f
20
MH乙
串行时钟,脉沖高
30
ns
串行时钟,脉冲低
30
ns
SSN开启到时钟沿有效
t
40
10
ns
SSN在写循环之间的脉冲宽度
t
50
40
ns
SSN在SCK下降沿后的保持时间
ns
数据有效到SCK下降沿的时间
ns
数据在SCLK下降沿后的保持时间
ns
在SCK上升沿到数据有效的时间
16
ns
串行接口(SPⅠ兼容,时钟相位=1,时钟极性=0)
串行接口是与4线制SP兼容的,它需要一个 Serialselectnot(SN)信号,从而不能够工
作在3-线制SPI接冂
第一个SCK的上升沿将会复位INTN管脚(中断管脚)状态
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从最高位(MSB)开始传输以最低位(ISB)结朿。传输是以字节方式完成的。数据传输可以
在每个字节后停止,通过给SSN发送一个LOW-HIGH-LOW的电平。
pwSSn
SSN
sCK
SI
MSB
LSB
图1.SP写时序
PoSen
SSN
t
SCK
/
MSB
6
SB
SO
MSB X MSB-1
X 1 XLSB
OPCODE
DATA
图2.SPI读时序
关闭STOP通道的时序:
sTOP⊥n。Bs
S-FN
EN S
图3:关闭STOP通道时序
参
数
符号
最小值
最大值
单位
使能建立吋间
t
S-EN
t b. d
ns
使能保持时间
t
t. b. d
ns
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系统复位时序:
Reset
Cat pin RSTN)
Start/Stop
aCcept
deep
图4:系统复位时序
参
数
符号
最小值
最大值
单位
复位脉冲宽度
t b. d
[s
在复位脉冲上升沿后到可以接受
t.b. d
ns
脉冲的时间间隔
注:在上电复位后,至少要等待500μs才可以启动模拟电路部分
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管脚排列图
∽
SULUULU
XIN□
(24PT1
XOUT
PT2
VTO
G\D
MS1022
FIRE UP
PT3
ilRE:DO¥
PT4
FIRE IN
LOADT
i\Tn 8
(T7SENSET
管脚描述
管脚号管脚名称0缓存类型
管脚描述
未使用
XIN
高速品振驱动输入
GND
XOUT
晶振驱动输出
VIO
端口电源
23456789
GND
地
FIRE UP
18 mA
脉冲发生端口1
FIRE DOWN
18 mA
脉冲发生端口2
FIRE IN
“声环法”信号输入端口
GND
INTN
4 mA
中断标志,低电平有效
串行接口从机选择,低电平有效
10
SCK
串行接口时钟输入
SL
申行接口数据输入
12
SO
4mA三态
申行接口数据输出
RSTN
系统复位输入,低电平有效
14
VCC
内核电源
15
CLK320UT
32kIl时钟输出
悬空
16
CLK32IN
32kIlz时钟输入
GND
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