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EPM240,EPM570 代替方案,功能更多,成本更低,兼容5V电平。-40~100℃,工艺更先进,功耗更低!-ELF_DataSheet1.6.pdf
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上传时间: 2019-09-03
详细说明:EPM240,EPM570 代替方案,功能更多,成本更低,兼容5V电平。-40~100℃,工艺更先进,功耗更低!-ELF_DataSheet1.6.pdf安路科技器件系列数据手册
ANLOGIC
安路科£
目录
2.5.8E电延达
2.5.9保密配置迸项
2.5,10配置接口IP
3直流和交流特性
直流电气特性
3.1.1最大绝利额定值
3.1,.2荐基小操作条件
3.1.3静态供电电流
3.1.4热插拔规格
3.1.5上电复位电压值
3.1.6直流电气符性
3.1.7管做电容
3.1.8差分中学特性
3.1.9单端直流电学特性
交流电气特性
3.2.1的钟性能
3.2.2
接口性能
3.2.3配置模块和
规格
4引1装
一引脚定义和规
电源电压管脚
引脚说明
4.3.1
4.3.2
引脚说明
4.41
目录
安路科技器件系列数据手册
ANLOGIC
安路科£
目录
4.4.2
443
封装信息
4.5.1
封装规格
4.52
封装规格
4.5.3
封装规格
5订购信息
6版本信息
目录
安路科技器件系列数据手册
7---ANLOGIC
安路科£
器件架构
简介
1.1ELF器件系列特性
■内嵌Fash的快速上电CPLD器件
先进的130 nm flash低功耗工艺
内嵌非易失性 Flash
可支持快速上电工作(<1ms)
静态功耗<2mA
3.3~25V单电源供电( Vccext)
33~1.2∨Io电压(Vcco)
■基于灵活的CPLD可配置逻辑模块(PLBs)
·每个PLB包含8个基于4输入查找表和DFF锁存器构成的逻辑单元(LE)。
多种可编程逻辑单元规模可选(等效300个LE~650个LE)
每个PLB内嵌专用进位链可实现8位算术逻辑。
内部PLB可配置成独立的深度为32,宽度为4的RAN
·丰富的互连资源保证布通率,8个全局时钟
高性能,灵活的输入/输出缓冲器
·4个 IO BANK,支持热插拔
·除支持标准CMOS/∏接口外, BANK1支持差分输入,四个BANK均支持 EMULATED
LVDS输出
内嵌非易失性 e flash存储器
支持 DualBoot,存储2套码流,主码流失效时自动加载备用码流
只存储1套码流时,用户可用內部 Flash存储空间16 Kbyte
若用外部接口下载,则可用空间32 Kbyte
支持○TP模式,提供用户码流保密, flash存储器可进行访问控制,用户可设置禁止读或写
e flash内部码流
· Single-Boot模式时,用户可使用16 K Bytes内部 Flash空间
安路科技器件系列数据手册
2-5 ANLOGIC
安路科£
器件架构
支持42位DNA:每个芯片拥有唯一的34位芯片DNA和至少8位用户 trace id
配置模式
JTAG模式(IEEE-1532)
上电自动加载内部 e Flash存储的码流
主动SPI接囗
封装
·TQFP44/100/144封装
为用户提供更多的可用IO,最大可用Io数
■84(100pin封装
■120(144pin封装
■31(44pin封装)
安路科技器件系列数据手册
--ANLOGIC
安路科£
器件架构
表1-1ELF系列选型器件参数列表
参数
E|f-300
E|f-650
等效4输入查找表(LUT4)
300
650
分布式RAM(
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