EPM240,EPM570 代替方案，功能更多，成本更低，兼容5V电平。-40~100℃，工艺更先进

文件名称: EPM240,EPM570 代替方案，功能更多，成本更低，兼容5V电平。-40~100℃，工艺更先进，功耗更低！-EF1A650.pdf

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详细说明：EPM240,EPM570 代替方案，功能更多，成本更低，兼容5V电平。-40~100℃，工艺更先进，功耗更低！-EF1A650.pdf安路科技ELF器件系列数据手册 ANLOGIG 安科技目录 2.58电还迟 22 2.5.91C接厂 22 2.5.10密配置选项 22 2.5.11配置接口D....………2 3直流和丈流特性. 23 3.1直流电气特性. …23 3.1.1最大绝额定值 23 31.2摆荐基本操作条件 24 3.1.3静态供电电流2 25 3.1.4热插拔规格. 25 3.1.5电复位电压厦值 5 3.1.6MO直流电气待性 26 3.1.710管脚电容 27 3.1.8差分∥0电学特性 27 3,1.9单端10且流学特性 28 32交流电气特性 29 3.2.1的钟性能 3.2.210接口性能量着面着面面面首面着面面着面着面面面面面着面百星面面道着,面着着 29 3.2.3配置模块和JTAG规格 .面着面面面D团面曹 30 4引和封装 31 4.1引脚定义和规则… 31 42电源电压管脚 32 4.3EL1L300、EL1F650引脚说明. 4.3.1TQFP100. 33 4.3.2TQFP144..… 35 4.4EL1A300、EL1A650引脚说明 38 www.anlogic.com 目录安路科技ELF器件系列数据手册 ANLOGIG 安科技目录 44.17QFP100,…………… 38 44.27QFP144 4.5封装信息…… 43 4.5,17QFP100封装规格 43 4.5,27QFP144封装规格 44 5订购信息 6版本信息 46 www.anlogic.com 目录安路科技ELF器件系列数据手册 ANLOGG 安科技器件架构 1简介 1.1ELF器件系列特性 ■内嵌Fash的快速上电CPLD器件先进的130 nm flash低功耗工艺内嵌非易失性 Flash 可支持快速上电工作(<1ms) °静态功耗<2mA 33~2.5V单电源供电( Vccext) 3.3~12VIO电压(Vcco) ■基于灵活的CPLD可配置逻辑模块(PLBs) 每个PLB包含8个基于4输入查找表和DFF锁存器构成的逻辑单元(LE)。多种可编程逻辑单元规模可选(等效300个LE~650个LE) 每个PLB内嵌专用进位链可实现8位算术逻辑。 ·内部PLB可配置成独立的深度为32,宽度为4的RAN 丰富的互连资源保证布通率,8个全局时钟 ■高性能,灵活的输入/输出缓冲器 4个 IO BANK,支持热插拔除支持标准CMOS/接口外,BANK1支持差分输入 ■内嵌非易失性 flash存储器支持 DualBoot,存储2套码流,主码流失效时自动加载备用码流只存储1套码流时,用户可用内部 Flash存储空间16 Kbyte 若用外部接口下载,则可用空间32 Kbyte ·攴持○TP模式,提供用户码流保密, flash存储器可进行访问控制,用户可设置禁止读或写 eF|ash内部码流 Single-Boot模式时,用户可使用16 K Bytes内部 Flash空间 www.anlogic.com 安路科技ELF器件系列数据手册 ANLOGG 安科技器件架构 ●支持42位DNA:每个芯片拥有唯一的34位芯片DNA和至少8位用户 trace id 内嵌硬核IP 一个I2C接口配置模式 JTAG模式(EEE-1532) 上电自动加载內部 flash存储的码流 I2C接口主动SPI接口 ■封装 TQFP100/144封装为用户提供更多的可用Io,最大可用IO数 ■84(100pin封装) ■120(144pin封装) www.anlogic.com 2 安路科技ELF器件系列数据手册 ANLOGG 安科技器件架构表1-1ELF系列选型器件参数列表参数 E|f-300 Ef-650 等效4输入查找表(LUT4) 300 650 分布式RAM( Kbits) 2K 7K Vccext电压 25/33V 2.5/33V 用户可用内部Fash容量(KB) 161 161 IO Banks 4 4 最大可用I/O数目 84 120 LVDS输入对数 10 12 封装和可用IO数目 100-pin TQFP 84 84 144-pin TQFP 120 说明: 1.位流存储于芯片内部时,内部32 KB flash中16KB空间用于存储位流,用户可使用剩余的 16KB空间。 2.位流存储于芯片外部时,用户可以使用内部32KBeF|ash空间。 1.2 ELF CPLD器件市场定位安路ELF系列CPLD器件,定位于低成本、低功耗可编程CPLD市场。相比对标器件更多逻辑容量、分布式RAM支持、更多Io支持、多种封装支持等特性,使得EF器件合适通信、工业、消费等应用领域中逻辑桥接、按口扩展、系统控制等功能。εF器件支持OTP模式,上电1mS快速上电启动功能适合于上电时间敏感的运动控制领域和安全应用领或。 www.anlogic.com 安路科技EIF器件系列数据手册 ANLOGIG 安科技器件架构 2ELF架构概述可编程 IO BANI-0 ;;;; PPPPP PPPPPP P PPPP PPP PPPPP 编 P PPPPP PPPP P 程编程 IO PPP P PP IO BANK BANK PP P P P PPP P I 2C 硬核 32 KB efla中h存储器下载接口可编程I0BAN-2 图2-1:ELF器件简化框图 ELF系列器件由查找表逻辑模块(PLB)阵列构成核心资源,输入输出缓沖器分布在芯片四边。ELF器件基于 flash工艺,内部集成有32 K BYTE的非易失存储器,用户可以通过JTAG接口编写 flash。 ELF芯片1O有4个BANK,其中BANK-1的Io增加了对差分输入信号的支持。 www.anlogic.com 安路科技EIF器件系列数据手册 ANLOGIG 安科技器件架构 2.1PLB模块可编程逻辑块〔PLB)按照行/列规则排布成二维阵列,每个PB包括可编程互连 ( routing)和可编程功能块( Programmable Functional Block,PFB)。PFB是CPLD的可编程功能核心。ELF器件內部PFB可实现:逻辑,算术ROM功能以及信号锁存DFF。 ELF PFB分为两类:MPFB和LPFB。其唯一不同点是:LPFB不具有分布式RAM ( distribute ram)功能。PFB内部包含4个 SLICE,编号0~3。 SLICE0,1为 MSLICE类型, SLICE2,3为 LSLICE类型。 FCO PLB PFB LUTA& Carry& RAM DFF LUTA& carry& RAM DFF LUTA& Carry& Routing& RAM DFF Switch LUTA& carry& RAM DFF BoX LUTA& Carry& RAM DFF LUTA& carry& RAM DFF LUT4& carry& RAM DFF LUTA& Carry& RAM DFF Slice o FCI 图2-1-1:可编程功能块(PFB)结构图: www.anlogic.com 5 安路科技EIF器件系列数据手册 ANLOGIG 安科技器件架构 2.1.1PFB操作模式 MPFB有4种操作模式:逻辑,算术,分布式RAM和ROM。 LPFB有3种操作模式:逻辑,算术和ROM 逻辑模式在逻辑模式中,PFB中的LT4配置成4输入组合逻辑查找表,任意4输入函数都可以用这个查找表实现。PFB内的LUT还可以通过内部输出组合电路级联成更大的查找表。算术模式算术模式会利用 SLICE内部快速进位链实现快速、高效的算术功能,每个PLB可实现8bit算术逻辑。可支持的算术逻辑有∶加法,减法,带控制选择的加/减法器,计数器,以及比较器。上下相邻PFB可级联实现更宽位宽的算术逻辑。分布式RAM模式 MPEB可配置成此模式,一个MPFB可配置成32×4的简单双口RAM(一口写/口读)。多个MPFB组合可实现深度/位宽的扩展,也可以实现真双口RAM。 RoM模式所有 SLICE在LUT逻辑下可用作ROM模式,用户可以通过软件设置ROM初值。 21.2寄存器 PFB内每个SLCE包含2个可配置寄存器。可锁存LUT的输出或者来自互连的M输入。寄存器配置选项: 边沿触发的锁存器(DFF)或电平使能锁存器( LATCH) 支持同步复位的同时且支持异步复位0或置位1 ■ SLOAD功能和移位功能。 ■是否使用 Clockenable使能 CLK/CE/SR支持上升沿/降沿/0/1选择 www.anlogic.com 6

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