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LED芯片生产工艺流程（详细）.pdf
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上传时间: 2019-08-17
详细说明：从LED芯片的原材料到最终的成品，详细介绍LED芯片生产工艺流程。LED芯片工艺
Al
P极
①i
au
发光区
A
uBe
1、LED
au
芯片基本结构
P-GaP-Mg
GalnP-AI
2、工程设备
N-GaP-Si
GaAs
MOCVD
Au
(金屬有机物化学氣相沉淀法)
AugeNi
VPE
N极
Ni
(气相磊晶)
Au
上游成品(外延片)
显影、定影
去腊清洗、库房
去胶清洗
清洗
芯片制作工艺流程
↓去胶清洗
↓涂胶
显影、定影
↓去胶清洗
清洗
↓客户要求较高的
点测
刀
切
客户要求不高
涂胶前先涂光阻附着液
送各封装厂
LED制程工艺(1)
P面蒸镀
P面
CaAs衬底→
N面
N-GaP-Si
GalnP-A|(发光层、 P-GaP-Mg
也称为本活性层)
Au
Au
Galn
GaAs
蒸镀Au(P面)蒸镀AUBe(P面)蒸镀AU(P面)
P面蒸镀
LED制程工艺(2)
N面蒸镀
P面蒸镀
蒸镀Au(N面)蒸镀 AuGeNi(N面)蒸镀N(N面)
Au
AuBe
Au
-GaP-Mg
GaInP.Al
GaP
GaAs
Au
面、乙面蒸镀初步完成
AuGeNi
蒸镀Au(N面)
Au
LED制程工艺(3)
电极制作(A)
保护胶
光照
掩膜版
光照后形
成保护层
蒸镀P面、N面
黄光室涂胶(P面)
光罩作业
○○O○
保护层
去胶清洗
腐蚀金、铍
显影、定影
LED制程工艺(3)
电极制作(B)
目目目
循环上面工艺
再镀上钛、铝
去胶清洗
蒸镀钛、铝
wafer
制程注意问题:
1、欧姆键合:金属于金属之间的欧姆接触,接触不好影响电压、电阻等
2、电极镀层厚度、层数、材料容易影响芯片的好坏。
LED制程工艺(4)
切割SzE
Water
切
切割上
视图
Wafer全
切
两种切割:
激光:速度快,效率高。目前常用方法
2、钻石切割:速度较慢,且容易出现毛边。
LED制程工艺初步统计及小结
2
3
5
P面蒸镀| NL-GaP-Si GaInP-Al P-GaP-MgAu| AuBe A
N面蒸镀」Au
AuGeNi
Ni
电极
涂胶
光罩显影丶定影腐蚀清洗
P极蒸镀
钛
铝
cHP|半、全切割清洗
1、芯片工序多、工艺复杂,但灵活性高、技术含量强。
2、各厂家使用设备、工艺流程、化学配方、都形成自己的一套并不断更新
3、万变不离其宗,其主要路线是一样:外延片的生长、电极的制作、后期切割
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