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上传时间: 2015-08-31
详细说明:这些双N和P沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的,高密度,DMOS技术。这很
高密度的过程特别是针对减少
通态电阻。该器件的设计
特别是对于低电压应用,以替换
数字晶体管负载开关应用。由于偏置
电阻不需要此双数字FET可以取代
几个数字晶体管具有不同的偏置电阻。
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