开发工具:
文件大小: 794kb
下载次数: 0
上传时间: 2014-06-19
详细说明： 随着微电子技术发展到了65nm及其以下技术节点，金属铜由于其优良的特性取代了传统工艺中所用到的铝，本课题就是基于此基础上对多层铜布线的晶片进行CMP抛光的研究。
新的集成电路制造材料引入了多孔结构的低K介质，使得晶片的耐压力变小，须采用低压力完成平坦化。又因为现在国际主流的酸性抛光液逐渐暴露出诸多弊病，而新兴起的碱性抛光液又不仅能克服这些缺点，还有价格低廉等能够成为通用抛光液的潜质优点，所以当下抓紧研究低压力下碱性抛光液显得势在必行。
本文对CMP过程中各项抛光工艺和抛光液配比进行了实验研究。通过对比实验，研究得出在静态条件下3inch铜的平均腐蚀速率是相当低的，仅为56Å/
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
