文件名称:
CVD金刚石的氮脱附和正电子敏感性缺陷
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上传时间: 2020-06-05
详细说明：化学气相沉积（CVD）工艺可以生产高纯度或具有受控掺杂浓度的单晶或多晶金刚石样品。 可以通过加热样品来改变CVD金刚石中的缺陷类型。 控制缺陷类型可用于创建可用于辐射传感器和量子信息技术的量子金刚石开关的设备。 用电子枪在高真空下退火前后，用多普勒展宽正电子hil灭辐射（DBAR）对8个CVD金刚石样品进行分析。 在1700至1850 K的温度之间，钻石样品释放出氮气。 在这些高温下，表面被石墨化，并观察到金刚石的颜色和透明度的变化。 在有光和无光的情况下，使用DBAR分析了一些样品。 观察到缺陷性质随暴露于正电子束的时间而改变，然后通过暴露于光而再生。 将DBAR数据与光致发光数据进行比较，
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