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上传时间: 2020-06-05
详细说明：这项研究使用密度泛函理论对石墨烯上的NbSe2进行了共识的电子性能分析。 根据要构造的初始系统的方式（从扶手椅，手性或Zig-zag的石墨烯层开始），应预期最终获得不同的电子性能结果。 在初始条件下考虑边缘边缘效应是至关重要的，因为将获得不同的最终结果。 将针对研究中的每种情况提供能带和电荷密度分布图。 对于原始石墨烯，Eg（价带和导带之间的禁带能隙）为0.24 eV（扶手椅），分别获得0.19 eV（手性）和0.13 eV（之字形）。 此外，考虑到结构上的缺陷（空缺），以模拟可以与构建石墨烯-缺陷-NbSe2体系的实验结果进行比较的真实情况。 据我们所知，这是第一次进行这种调查。
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