文件名称:
种植氮后硅晶片<111>和<004>的特性
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文件大小: 3mb
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上传时间: 2020-06-05
详细说明：在本文中，为了以25 keV的能量，24μA/ cm2的密度和5×1013原子/ cm2、1×1014原子/ cm2的剂量向硅中注入氮离子，进行了不同的工作和实验步骤。以及在室温（缺乏热相）且没有退火的情况下，给出1×1015原子/ cm2（根据种植时的计算和施用时间）。 XRD分析在种植前后进行，以观察晶格的变化以及在这种情况下形成氮化硅结晶相的可能性。 此外，还进行了晶格排列变化的研究和AFM分析，以观察表面的形貌。 此外，由于光学性能的变化，对表面粗糙度和离子注入在表面上引起的变化进行了研究，并在分光光度法下进行了种植前后的分析。
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