开发工具:
文件大小: 518kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-06-04
详细说明：根据Fowler理论和大量实验，导体光发射的量子效率随温度而增加。 在这里我们表明，当光发射来自n型半导体的准金属表面累积层时，相反的温度依赖性也是可能的。 这是由于半导体中费米能级的温度依赖性。 费米能级随着温度的降低而增加。 这导致半导体功函数的减小，并因此导致在能量的吸收光量子的恒定值下量子效率光发射的增大。 我们已经计算出了对正电荷铯或钡离子吸附所引起的n-GaN中电子累积层的影响。 发现在液氮附近的低温下，光发射的量子效率增加到接近55％，这可与任何已知光阴极所报道的最大值相媲美。 这种现象可能对在低温下工作的高效光电阴极很有用。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
