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上传时间: 2010-10-30
详细说明：模拟电子技术基础 试卷
武汉理工大学考试试题纸（ 卷）
填空题（本大题共20分，每空1分，）：
1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。
2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。
3.当PNP型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。
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