文件名称:
VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响
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文件大小: 233kb
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上传时间: 2020-06-23
详细说明：为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式,使计算结果更贴近实际。研究表明,在60 MHz甚高频作用下,如果方形平板电极的边长超过1.3 m,电势分布非均匀度将超过10%。此外,研究还发现:如果射频源功率馈入端圆形接触面的半径从1 mm增加到22 mm,电势分布非均匀度相对降低了45%,将大大的提高薄膜的均匀性。同时,计算结果还表明:在条件允许的情况下,如果继续增加功率馈入端的半径,平板电极间的电势分布的非均匀性还能进一步降低。
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