文件名称:
366b_q_z00m_8dp_mobile_lpddr4x.pdf
开发工具:
文件大小: 3mb
下载次数: 0
上传时间: 2020-06-22
详细说明:Features
• Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
– VDD1 = 1.70–1.95V; 1.80V nominal
– VDD2 = 1.06–1.17V; 1.10V nominal
– VDDQ = 0.57–0.65V; 0.60V nominal
• Frequency range
– 1866–10 MHz (data rate range: 3733–20 Mb/s/
pin)
• 16n prefetch DDR architecture
• 8 internal banks per channel for concurrent opera-
tion
• Single-data-rate CMD/ADR entry
• Bidirectional/differential data strobe per byte lane
• Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
• Programmable and on-the-fly burst lengths (BL =
16, 32)
• Directed per-bank refresh for concurrent bank op-
eration and ease of command scheduling
• Up to 7.5 GB/s per die
• On-chip temperature sensor to control self refresh
rate
• Partial-array self refresh (PASR)
• Selectable output drive strength (DS)
• Clock-stop capability
• RoHS-compliant, “green” packaging
• Programmable VSS (ODT) termination
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
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