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上传时间: 2020-07-14
详细说明:单向可控硅工作原理
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极,由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结,其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl和一个NPN型三极管V2组合而成,Vl基极和V2集电极相连,Vl集电极和V2基极相连,此连接处为可控硅控制极G,Vl的发射极为可控硅阳极A,V2的发射极为可控硅阴极K。可控硅没有触发前,阳极A和阴极K之间呈关断状态,可控硅被触发后阳极A和阴极K之间呈导通状态,电流从阳极A流向阴极K,其电路如下图所示。
当可控硅控制极G与阴极K之间加正向触发电压时,可控硅导通,负载有电流通过。可控硅导通后,只要A、K之间保持正向电压和维持一定电流,去掉触发电压可控硅仍可保持导通状态。在A、K间电压与电流不能维持导通时,或A、K之间电压极性发生变化时,可控硅则由导通变为截止。
单向可控硅充电电路图设计(一) 单向可控硅触发电路图
此电路为简易型,电路非常稳定,可供参考。
单向可控硅充电电路图设计(二) 12V可控硅充电器电路图
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