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上传时间: 2020-07-13
详细说明：mos管基本参数
Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。
Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。
Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。
Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。
Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。
Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。
Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）电量。
Qgs：栅源充电电量。
Qg：栅极总充电电量。
mos管动态参数
IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS通常在纳安级。
IDSS：饱满漏源电流，栅极电压VGS=0、
VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。
VGS（th）：敞开电压（阀值电压）。当外加栅极操控电压VGS超越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中，常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。
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