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上传时间: 2020-07-12
详细说明：磁敏二极管特性
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在P区与N区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区——R区，其基本结构如图1所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过PN结的电流。在外界磁场的作用下，两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很高的探测灵敏度。当外界无磁场时，加正向电压，N区电子大部分注入P区空穴内（图2），只有少数载流子在1区及R区复合，器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场B+（图3）时，在正向磁场洛仑兹力的作用下，空穴及电子运动方向均偏向R区，空穴及电子在R区的复合率极高，因此大部分载流子在R区复合，则1区中载流子数目大为减少，R区电阻随之增大，压降亦增大，从而循环产生正反馈，使该管外部表现为电阻增大，电流减小，压降增大；反之，外界加B－（图4）时，则外部表现为电阻减小，电流增大，压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性如图5所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（U）与磁感应强度（B）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度B不同时，有着不同的伏安特性曲线，AB为负载
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