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文件名称: 场效应管和晶闸管的区别
  所属分类: 其它
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  文件大小: 235kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-07-12
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件,但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅,可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。 什么是场效应管 这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极,分别为栅极G、源极S和漏极D,其中栅极G为控制端,源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面可以分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示: PMOS的衬底为N型半导体,在VGS《0时,会形成P沟道,所以叫做P沟道MOS;而NMOS的衬底为P型半导体,在VGS》0时,会形
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