文件名称:
基于SG3525的DC/DC直流变换器的研究
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上传时间: 2020-07-12
详细说明：引言
随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525，以用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。其性能特点如下：
1）工作电压范围宽：8～35V。
2）内置5．1V±1．0％的基准电压源。
3）芯片内振荡器工作频率宽100Hz～400kHz。
4）具有振荡器外部同步功能。
5）死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更陕，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。
6）内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定，停止工作（基准源及必要电路除外），使消耗电流降至小于2mA。
7）有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电，达到2．5V的时间为t=（2．5V／5
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