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绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识
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上传时间: 2020-07-12
详细说明：绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识
1.增强型NMOS管
s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表面加SiO2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。
2.增强型PMOS管
在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。
3.增强型NMOS管的工作原理
正常工作时外加电源电压的配置：
(1)VGS=0, VDS=0：漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即iD≈0。
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