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浅谈CMOS的正常工作电流下CMOS电路设计问题
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文件大小: 151kb
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上传时间: 2020-07-12
详细说明：这次遇到的问题是这样的，由于LDO的电源输出能力有限，同时也是保证可靠性，某些保护电路必须直接电源上，这里需要注释的是，LIMP HOME“跛行回家”即使我们的5V系统出现了问题，我们也必须保证部分重要的功能能继续工作，因此为了满足这个条件，关键信号的供电只能是直接接电池。
这次第一个出问题的是一个CMOS的与门（HE4000B系列的）。
我们的控制信号出自MCU（5V的系统），而与门的系统供电是12V的，因此两个电平不兼容，导致了MCU的高低电平统一被与门CMOS芯片识别成低电平。
我们在设计转换电平的时候，有两个问题需要我们去注意
1.要相同的逻辑，不能做成反逻辑
2.在正常状态下，不能允许大的电流（为了符合静态电流的要求）这里设计的是低有效电路，因此在输出高的时候不能出现大的静态电流。
可行的改进设计为：
不过一波未平一波又起，由于ISO16750的规定
而我们的与门能够承受的电压为18～20V，这也是所有CMOS的IC的极限电压，因此该芯片华丽的烧毁了（在我们做1分钟的Jump Start实验的时候）
我们的解决方案，加个齐纳管15V
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
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