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上传时间: 2020-07-11
详细说明：瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装，如图所示。它的最基本核心单元为芯片，芯片是由半导体硅材料扩散而制成的，芯片有单极型和双极型两种结构。
单极型瞬态二极管有一个PN结; 双极型瞬态二极管有两个PN结，它们是利用现代半导体制作工艺在同一硅片的正反两个面上制作出的两个背对背的PN结。瞬态电压抑制二极管芯片的PN结经过玻璃纯化保护由引线引出，再由改性环氧树脂封装而成。
上图给出了瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线。图(a)所示为单极型瞬态电压抑制二极管的伏安特性曲线，从图中可以看出，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为曲型的PN结雪崩击穿特性。在瞬态脉冲电压作用下，流过瞬态电压抑制二极管的电流，由原来的反向漏电流ID上升到击穿电流IR，其两端电压则由反向关断电压VMN上升到击穿电压VBR，此时瞬态电压抑制二极管反向击穿。随着峰值脉冲电流的增大，通过的电流立即达到峰值脉冲电流IPP，但瞬态电压抑制二极管两端的电压被钳位于最大钳位电压Vc,Vc又叫二极管的最大抑制电压。二极管从零到最小击穿电压VBR的时间叫锚位时间tc。单极型瞬态电压抑制二极管的钳位时间tc＜lns，双
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