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文件名称: 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计
  所属分类: 其它
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  文件大小: 87kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-07-27
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。
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