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上传时间: 2020-08-03
详细说明：本篇论文的目的是探讨并研究针对目前半导体製程过程中,包含涂佈光阻 (Coating),曝光(Exposure),与显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生 的 Defect 种类,产生原因的探讨并加以的区分,而且利用一些实验手法去减少 产生 Defect 的现象发生.例如利用 Exhaust 的改变,製程程式的设定,Hardware Modify 等等均可改善,并研究如何去预防发生. 除此之外,现在随着製程技术进步,对于 CD 的要求是越来越小,在黄光 的整个 Process 过程中有许多的因素影响着 CD 的变化,包含曝光能量与焦距的 变化,显影前 Hot Bake 的温度与时间的变化,显影等等都会影响到 CD.其中 显影是一个非常重要的步骤(包含显影前的 Bake 以及后来的显影),所以 Develop Nozzle Hardware 的任何一个 Parameter 都有可能会影响到 CD 的变化,本文就针 对 DEV 显影方式,和对 CD 的影响度经由实验去试出最佳化的 Parameter 来让 CD 达到一个变化最小的状态使的製程稳定 Yield 提昇.
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