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专用芯片技术中的用变址寻址原理突破EEPROM存储器的擦写寿命极限
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文件大小: 59kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。 我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做： 1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。 2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。 3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数据，并以读出的值为地址，访问其指向的单元。 4、在每次写完数据后，立即将数据再读出，并与写入的地址
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