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嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：2015年12月11日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容，推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护，比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动，采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离（HVJI）工艺，以实现小型封装，同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V器件专为低压（24 V、36 V和48 V）和中压（60 V、80 V和100 V）应用量身定制。它
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