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文件名称: 嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-10-16
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护,比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动,采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离(HVJI)工艺,以实现小型封装,同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V器件专为低压(24 V、36 V和48 V)和中压(60 V、80 V和100 V)应用量身定制。它
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