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文件名称: 存储/缓存技术中的新一代存储技术特点、比较和研发进展介绍
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-10-16
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:近十年来,在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下,业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术,以替代闪存技术,更有效地缩小存储器,提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PRAM)或其他相变技术。本文将分别介绍这些技术的特点、比较和研发进展。   新一代存储技术显现   “多、快、省”特点   MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,基本上可以无限次重复写入。其设计原理非常诱人,它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改
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