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集成电路中的Diodes - 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积
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文件大小: 106kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)。这种配置可减少元件数量以及节省电路板空间，另外对要求配备多种器件的应用尤为重要，包括一系列工业检测系统或海事声呐设备内的超声波换能器。其它常见的应用有48V电信设备散热风扇的直流驱动电机，以及无线充电板线圈等电感负载。
DMHC10H170SFJ具有100V漏源极击穿电压 (BVDSS)，提供充足的净空以支持48V电信轨和工业应用。它还配备5V的栅极电压，以简化
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