文件名称:
元器件应用中的详解半导体5纳米制程技术及成本挑战
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳 米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至 7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用 五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界尚无关于它的投资估计。但是根据16/14 纳米的经验，以每1000硅片需要1.5亿至1.
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