文件名称:
0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计
开发工具:
文件大小: 91kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。
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