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元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断
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文件大小: 265kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。
三极管饱和问题总结：
1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。
2.集电极电阻 越大越容易饱和;
3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制
问题：基极电流达到多少时三极管饱和?
解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值
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