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元器件应用中的安森美半导体GaN晶体管——追求更快、更智能和更高能效
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文件大小: 206kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：第三代半导体材料——氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。为了满足市场对GaN的需求，安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN，共同推动GaN市场的发展。
GaN的优势
从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽
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