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存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘
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文件大小: 587kb
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上传时间: 2020-10-16
详细说明：三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
三星（Samsung）早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元（MLC） 3D V-NAND快闪存储器K9AFGY8S0M，并强调将用于各种固态硬碟（SSD），也预计会在2016年初正式上市。这些承
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