文件名称:
接口/总线/驱动中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案
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文件大小: 172kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-16
详细说明：在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。
另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端表示MOSFET的源极能够在地与高压输入端之间浮动，而低端表示MOSFET的源极始终接地，参见图
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