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上传时间: 2020-10-15
详细说明：为了在局部热点区域实现系统容量的成倍提升，需要能支持高频、大带宽工作的无线网络基础设施进行超密集组网，采用GaAs HBT工艺设计出适用于5G微基站的4.8～5.0 GHz三级高增益、大输出功率放大器。利用伪差分结构来抑制接地寄生电感的影响，通过片外低损耗LC巴伦完成单端与差分对之间的转换，结合有源自适应偏置网络与RC负反馈电路，并应用宽带匹配与预失真补偿的方法，基于ADS仿真验证了在中心频点4.9 GHz处可实现35.8 dB的功率增益与33.5%的峰值功率附加效率，且工作频带内能输出不低于35 dBm的饱和功率，可满足典型应用场景对网络信号无缝覆盖的要求。
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