文件名称:
嵌入式系统/ARM技术中的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片研制方法
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上传时间: 2020-10-23
详细说明：一、引言
四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。目前发光二极管的发展方向主要是高亮度及全彩色 ,GaAlAs、GaAlInP与GaInN是较成熟的半导体发光材料 ,其中GaAlAs是红光二极管的优选材料 ,GaAlInP材料根据Al组分的变化能得到红光（680nm）到绿光 （560nm）的光波 ,以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收，最早的GaAlInP高亮度发光二极管90年代初由美国HP。
为了提高发光效率，人们开始进行其它衬底代替GaAs吸收衬底的研究。其中一种方
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